هواوی به‌زودی توسعه‌ی لیتوگرافی سه نانومتری GAA را آغاز می‌کند

هواوی در گامی بزرگ قصد دارد توسعه‌ی لیتوگرافی پیشرفته‌ی سه نانومتری GAA را آغاز کند؛ حرکتی که می‌تواند این شرکت را به بازیگری جدی در رقابت جهانی تبدیل کند.

گزارشی از Taiwan Economic Daily نشان می‌دهد که هواوی پس از موفقیت تراشه‌ی Kirin X90 —که با لیتوگرافی پنج نانومتری SMIC تولید شده بود— اکنون کار تحقیق‌وتوسعه روی لیتوگرافی سه نانومتری را آغاز کرده است.

هواوی مسیر GAA یا Gate-All-Around را دنبال می‌کند که پیش‌تر فقط توسط سامسونگ در این مقیاس استفاده شده بود. هواوی تصمیم دارد به‌جای سیلیکون سنتی از مواد دوبعدی برای ساخت کانال‌های ترانزیستوری استفاده کند؛ رویکردی که می‌تواند در مقیاس کوچک‌تر، کارایی بیشتر و مصرف انرژی کمتری به همراه داشته باشد.

هواوی روی طراحی دیگری هم کار می‌کند: تراشه‌ای سه نانومتری با ساختار «کربنی» که از نانولوله‌های کربنی به‌جای ترانزیستورها و ارتباطات سیلیکونی بهره می‌برد. هدف این است که راهکارهایی جایگزین برای عبور از محدودیت‌های سیلیکون ارائه شود.

پروژه‌های مذکور هنوز در مراحل ابتدایی قرار دارند و هواوی پیش‌تر طرح‌های جاه‌طلبانه‌ای را مطرح کرد که بعدها کنار گذاشته شدند؛ اما موفقیت اخیر هواوی در توسعه و عرضه‌ی تراشه‌ی پنج نانومتری، نشان می‌دهد که می‌توان به پیشرفت‌های جدی‌تر در آینده امیدوار بود.