TSMC تولید انبوه تراشه‌های ۲ نانومتری را در تایوان آغاز کرد؛ تسریع در تولید ۳ نانومتری در آمریکا

شرکت TSMC، پیشرو در صنعت تولید نیمه‌هادی، رسماً از آغاز تولید انبوه فرایند ۲ نانومتری خود در کارخانه Fab 22 واقع در شهر کائوسیونگ، جنوب تایوان، خبر داد. این کارخانه که نخستین مجموعه TSMC در این منطقه جنوبی تایوان به شمار می‌رود، فاز اول از حداکثر ۵ فاز برنامه‌ریزی‌شده در این موقعیت استراتژیک را تشکیل می‌دهد. در قلب فناوری به کار رفته در Fab 22، استفاده از ویفرهای ۳۰۰ میلی‌متری و نسل اول فناوری ترانزیستور نانوصفحه‌ای TSMC بر روی نود N2 قرار دارد.

این شرکت پیش‌تر تأکید کرده بود که نود N2 از منظر بهبود عملکرد و مصرف انرژی، یک جهش کامل نودی را ارائه می‌دهد. این مقایسه که میان نود N2 و نود N3E نسل دوم صورت گرفته، نشان می‌دهد که دستاوردهای نود N2 برای TSMC فراتر از یک بهبود کامل نودی متعارف است.

همچنین، گزارش‌ها حاکی از آن است که این غول تراشه‌سازی تایوانی قصد دارد تولید تراشه‌های ۳ نانومتری خود را تقریباً یک سال زودتر از موعد مقرر در تأسیسات واقع در خاک آمریکا آغاز کند. این اقدام استراتژیک با هدف جلوگیری از پیشروی رقبا و حفظ برتری در بازار جهانی نیمه‌هادی‌ها صورت می‌گیرد.

قابلیت‌های فنی پیشرفته در نود N2

نود N2 با چندین افزوده فنی جدید همراه است که به باور TSMC، موجب افزایش بیشتر عملکرد تراشه‌ها خواهد شد. این قابلیت‌ها شامل لایه توزیع مجدد با مقاومت پایین (RDL) و خازن‌های metal-insulator-metal (MiM) با کارایی فوق‌العاده بالا می‌شود. تأثیر واقعی این پیشرفت‌ها در محصولات نهایی زمانی آشکار خواهد شد که اولین مشتریان، تراشه‌های مبتنی بر نود N2 را به بازار عرضه کنند.

بهبود چشمگیر عملکرد و مصرف انرژی

بر اساس اطلاعات منتشر شده از سوی TSMC، نود N2 در مقایسه با نود N3E، امکان افزایش ۱۰ تا ۱۵ درصدی عملکرد در سطح مصرف انرژی یکسان را فراهم می‌کند. همچنین، این فناوری جدید قادر است مصرف انرژی را در سطح عملکرد برابر، بین ۲۵ تا ۳۰ درصد کاهش دهد. علاوه بر این، چگالی ترانزیستور در نود N2 نیز حدود ۱۵ درصد افزایش یافته که به معنای تراشه‌های قدرتمندتر و کارآمدتر است.