فراخوان ملی میکروالکترونیک برای توسعه فناوری‌های پیشرفته در ایران

معاونت علمی، فناوری و اقتصاد دانش‌بنیان ریاست جمهوری با همکاری برنامه ملی میکروالکترونیک، فراخوان گسترده‌ای را برای توسعه علوم و فناوری‌های مواد و ساخت پیشرفته در صنعت میکروالکترونیک کشور آغاز کرده است. این ابتکار ملی که با هدف هم‌افزایی ظرفیت‌ها و استفاده از توان شرکت‌های دانش‌بنیان و فناور طراحی شده، به دنبال پاسخگویی به نیازهای حیاتی این صنعت و کاهش وابستگی به واردات مواد راهبردی است.

اهداف کلان برنامه

این فراخوان با هدف توسعه همکاری‌های بین‌بخشی و ارتقای زیست‌بوم فناوری و نوآوری در حوزه فناوری‌های پیشران و نوظهور عملیاتی شده است. تمرکز اصلی بر تکمیل حلقه‌های مفقوده زنجیره ارزش و کاهش وابستگی به واردات مواد حیاتی در صنعت میکروالکترونیک است. مدل تأمین مالی پروژه‌ها نیز متناسب با ماهیت و میزان اثرگذاری آن‌ها بر توسعه فناوری و عمق ساخت داخل تعریف شده است.

محورهای اصلی فراخوان

این برنامه چهار حوزه کلیدی را در بر می‌گیرد که هر یک به جنبه‌های مختلف توسعه صنعت میکروالکترونیک می‌پردازند:

• محور اول: استحصال عناصر راهبردی

  این بخش بر بازیابی و استحصال عناصر حیاتی مورد استفاده در صنایع الکترونیک تمرکز دارد. از جمله اولویت‌ها می‌توان به:

  • بازیابی گالیم از باطله معادن آلومینیوم و روی.
  • استحصال ژرمانیوم از باطله معادن مس.
  • استخراج تلوریم از باطله سرب.
  • استحصال ایندیوم از معادن روی، آهن و سرب.

  هدف نهایی، دستیابی به خلوص بالای 95 درصد برای این عناصر است.

• محور دوم: پرعیارسازی و افزایش خلوص مواد پایه

  این محور به خالص‌سازی و ارتقای خلوص مواد اولیه می‌پردازد. موضوعات مهم شامل:

  • خالص‌سازی آنتیموان.
  • رساندن ژرمانیوم وارداتی به خلوص N6.
  • تبدیل کانه سیلیس به سیلیکون گرید خورشیدی با خلوص N6.
• محور سوم: توسعه فناوری‌های پیشرفته در ساخت نیمه‌هادی‌ها

  این بخش بر توسعه فناوری‌های نوین در تولید نیمه‌هادی‌ها، رشد تک‌کریستال‌ها، لایه‌های نازک و مواد لیتوگرافی متمرکز است. برخی از موضوعات کلیدی عبارتند از:

  • رشد بلور لیتیوم نئوبایت.
  • تولید تک‌بلور کاربید سیلیکون.
  • ساخت لایه‌های نازک ضدبازتاب برای سنسورهای اپتیکی و لایه‌های ضدسایش.
  • تولید مواد فوتورزیست و پوشش‌های ضدانعکاس.
  • ساخت ترکیبات نیمه‌هادی نظیر GaN، GaAs و InP و انواع FET و MOSFET.
• محور چهارم: توسعه مواد پلیمری و اتصالات در بردهای الکترونیکی

  این محور به توسعه مواد پلیمری، عایق‌ها، چسب‌ها و فناوری‌های اتصال در صنعت تولید بردهای الکترونیکی اختصاص دارد، از جمله:

  • تولید چسب‌های پیشرفته شیمیایی و پلیمری.
  • لحیم‌ها و اتصالات نوین.
  • انواع عایق‌های پلیمری و سرامیکی.

بسته‌های حمایتی و شرایط متقاضیان

برای طرح‌های برگزیده، مجموعه‌ای از حمایت‌های مالی و توسعه بازار در نظر گرفته شده است:

• اعطای تسهیلات برای تولید محصول تا سقف 20 میلیارد تومان.
• امکان سرمایه‌گذاری و مشارکت بخش خصوصی در طرح‌های منتخب تا سقف 50 میلیارد تومان.
• حمایت از شرکت‌های برگزیده برای حضور در نمایشگاه‌های داخلی و بین‌المللی.

شرایط پذیرش

تمامی شرکت‌های ثبت‌شده دارای شناسه ملی، اعم از دانش‌بنیان و غیردانش‌بنیان، می‌توانند در این فراخوان شرکت کنند. شرکت‌های غیردانش‌بنیان ملزم به اخذ تأییدیه دانش‌بنیانی در طول اجرای طرح هستند. الزامات دیگر شامل:

• برخورداری از محصول یا فناوری مرتبط با میکروالکترونیک.
• آماده بودن زیرساخت‌های اولیه تولید (مانند سوله و تجهیزات پایه).
• حضور حداقل یک نیروی متخصص در تیم اجرایی.

همکاری با اعضای هیئت علمی، دانشجویان تحصیلات تکمیلی یا مراکز دانشگاهی امتیاز ویژه محسوب می‌شود.

زمان‌بندی و نحوه ارسال طرح‌ها

فرآیند ارسال طرح‌ها از تاریخ 26 بهمن‌ماه آغاز شده و به مدت 30 روز ادامه خواهد داشت. جدول زمانی اجرای فراخوان به شرح زیر است:

متقاضیان می‌توانند از طریق سامانه خدمت معاونت علمی در بخش «فراخوان آفرینا – برنامه مشترک حوزه مواد میکروالکترونیک» نسبت به تکمیل کاربرگ و بارگذاری مستندات اقدام کنند. امکان پاسخ‌گویی به پرسش‌ها نیز در ساعات اداری از طریق شماره‌های اعلام‌شده فراهم است.