توسعه فناوری تولید انبوه تراشه‌های نیمه‌رسانا دوبعدی توسط دانشمندان چینی

پیشرفت چشمگیر چین در تولید تراشه‌های نیمه‌رسانا دوبعدی

دانشمندان چینی با دستیابی به یک موفقیت فناورانه بی‌سابقه، از توسعه روشی نوین برای تولید انبوه تراشه‌های نیمه‌رسانا بر پایه مواد دوبعدی خبر داده‌اند. این دستاورد می‌تواند آینده صنعت الکترونیک را دگرگون کرده و جایگزینی برای سیلیکون در نسل‌های بعدی تراشه‌ها فراهم آورد.

تولید ویفر ۱۵ سانتی‌متری دی‌سولفید مولیبدن

یک تیم تحقیقاتی برجسته به رهبری وانگ جیانلین از دانشگاه جنوب شرقی نانجینگ، با همکاری وانگ شینران و لی تائوتائو از دانشگاه نانجینگ، موفق به توسعه یک تکنیک پیشرفته برای رشد کریستال شده‌اند. این تکنیک به آنها امکان داده است تا یک ویفر تک کریستالی از ماده دی‌سولفید مولیبدن (MoS₂) با طولی چشمگیر ۱۵ سانتی‌متر تولید کنند. این ابعاد، گامی بزرگ در جهت تولید صنعتی این نوع تراشه‌ها محسوب می‌شود.

نقش کلیدی اکسیژن در بهبود فرآیند رشد

یکی از نوآوری‌های اصلی این تیم، افزودن اکسیژن در مرحله‌ای خاص از واکنش شیمیایی در طول فرآیند رشد کریستال است. این اقدام استراتژیک منجر به تسریع رشد کریستال، بهبود قابل توجه خواص الکترونیکی آن و کاهش چشمگیر احتمال نقص در ساختار کریستالی شده است. این بهینه‌سازی، کیفیت و کارایی مواد نیمه‌رسانا را به شکل چشمگیری افزایش می‌دهد.

هموارسازی مسیر تولید انبوه

این تکنیک پیشرفته رشد کریستال، راه را برای تولید انبوه تراشه‌های نیمه‌رسانا ساخته شده از مواد دوبعدی هموار می‌کند. این مواد، به دلیل ویژگی‌های منحصر به فرد خود، پتانسیل بالایی برای جایگزینی سیلیکون به عنوان پایه و اساس قطعات الکترونیکی آینده دارند. دانشمندان چینی در سال‌های اخیر سهم قابل توجهی در تحقیقات روی مواد نیمه‌هادی دوبعدی مختلف داشته‌اند و این موفقیت جدید، جایگاه آنها را در این حوزه بیش از پیش تقویت می‌کند.