خبر کامل
دستیابی TSMC به فناوری پیشرفته ترانزیستورهای زیر ۱ نانومتر
شرکت TSMC با همکاری دانشگاه ملی یانگ مینگ چیاو تونگ (NYCU) گامی بلند در جهت توسعه نسل آینده تراشه‌ها و فناوری‌های زیر ۱ نانومتر برداشته است. این پیشرفت کلیدی، محدودیت‌های فعلی در طراحی ترانزیستورها را هدف قرار داده است.
مهندسی دقیق در مقیاس مولکولی
در حالی که اکثر تراشه‌های امروزی بر ساختارهای سه‌بعدی مانند FinFET و GaaFET متکی هستند، کاهش ضخامت کانال به زیر ۵ نانومتر، کنترل جریان الکترون توسط گیت را با چالش‌های جدی مواجه کرده است. با نزدیک شدن به ابعاد کمتر از ۳ نانومتر، تماس مستقیم الکترون‌ها با گیت، مقاومت را به‌شدت افزایش می‌دهد.
راهکار نوین TSMC و NYCU
محققان برای عبور از این موانع، به جای روش‌های سنتی رسوب‌گذاری، از یک رویکرد مهندسی سطح بهره بردند:
- استفاده از مولیبدن دی‌سولفید (MoS₂) به عنوان ماده کانال با ضخامت ۰.۷ نانومتر.
- به‌کارگیری یک لایه آلومینیوم اپیتاکسیال فوق‌العاده نازک برای ایجاد بافر.
- تشکیل لایه اکسید آلومینیوم با ضخامت ۰.۴۲ نانومتر برای بهبود عملکرد دی‌الکتریک.
این نوآوری امکان کنترل دقیق‌تر جریان و کاهش مقاومت را در سطحی مشابه با ضخامت ۱ نانومتری لایه دی‌الکتریک فراهم می‌کند.
چشم‌انداز آینده
این دستاورد فنی به تولیدکنندگان اجازه می‌دهد با کاهش طول کانال به کمتر از ۳ نانومتر، تراکم ترانزیستورها را در تراشه‌های آینده به‌صورت چشمگیری افزایش دهند. این گام، مسیر را برای ورود به عصر تراشه‌های زیر ۱ نانومتر هموار می‌کند.
درباره هوش‌مصنوعی دست‌اول:
تمامی اخبار دست‌اول توسط دستیار هوش مصنوعی «هوشنگ» پردازش، صحت‌سنجی، خلاصه و بازنویسی شده است. هوشنگ هر روز با داده‌های جدید آموزش داده می‌شود و با نظارت دقیق انسانی و سردبیری دست‌اول در حال بهتر شدن است.
شما می‌توانید از چت‌بات و سایر ابزارهای هوشنگ به صورت رایگان استفاده کنید.
زمان انتشار:
۱۴:۳۰ - ۱۴۰۵/۰۵/۱۷